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深圳大芯超导有限公司

CREE碳化硅SiC MOSFET国产替代,英飞凌碳化硅SiC MOSFET国产替代,Wolfspeed碳化硅...

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BASiC基本半导体650V/1200V Hybrid IGBT 单管IGBT TO274-3和TO247-4 具备高速IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点,具备出色的开关速度和更低的开关损耗,TO-247 4 引脚封装具有一个额外的开尔文发射极连接。此 4 引脚也被称为开尔文发射极端子,绕过栅极控制回路上的发射极引线电感,从而提高 IGBT或者碳化硅MOSFET 的开关速度并降低开关能量。英飞凌单管IGBT国产代替主要规格有BGH50N65HF1(IKW50N65RH5国产替代,AIKW50N65RF5国产替代,IKW50N65ES5国产替代,IKW50N65EH5国产替代,IKW50N65ET7国产替代),BGH50N65HS1典型应用户用光伏储能机双向Buck-Boost电路,单相光伏逆变器Heric电路 (IKW50N65SS5国产替代),BGH50N65ZF1(IKZA50N65RH5,IKZA50N65SS5国产替代),BGH75N65HF1(IKW75N65RH5国产替代,IKW75N65ES5国产替代,IKW75N65EH5国产替代,IKW75N65ET7国产替代),BGH75N65HS1典型应用户用光伏储能机双向Buck-Boost电路,单相光伏逆变器Heric电路 (IKW75N65SS5国产替代),BGH75N65ZF1(IKZA75N65RH5,IKZA75N65SS5国产替代),BGH40N120HF典型应用光伏三相储能机双向Buck-Boost电路,T型三电平横管(IKW40N120H3,... [详细介绍]
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